SI5517DU Todos los transistores

 

SI5517DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5517DU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK
 

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SI5517DU Datasheet (PDF)

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SI5517DU

Si5517DUVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS RDS(on) ()ID (A)a Qg TrenchFET Power MOSFETs0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAKN-Channel 20 0.045 at VGS = 2.5 V 6 6 nc RoHSChipFET Package COMPLIANT0.055 at VGS = 1.8 V 6- Small Footprint Area0.072 at VGS = - 4.5 V - 6- Low O

 9.1. Size:153K  vishay
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SI5517DU

Si5519DUVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs0.036 at VGS = 4.5 V 6.0RoHSN-Channel 20 5.4 nC0.063 at VGS = 2.5 V COMPLIANT6.0APPLICATIONS0.064 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Portable DC-DC ApplicationsP-Channel - 20 6.0 nC0.095 at VGS = - 2

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SI5517DU

Si5511DCVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.055 at VGS = 4.5 V 4a,g TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 30 4.2 nC0.090 at VGS = 2.5 V 4a,g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.6aP-Channel - 30 2.8

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SI5517DU

Si5515DCVishay SiliconixComplementary 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.040 at VGS = 4.5 V 5.9 TrenchFET Power MOSFETs0.045 at VGS = 2.5 V N-Channel 20 5.6 Ultra Low RDS(on) and Excellent Power 0.052 at VGS = 1.8 V 5.2Handling In Compact Footprint0.086 at VGS = -

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History: SK07N65B-TF | STH185N10F3-2 | WSF35P06 | IRFB4310 | RD07MVS2 | SI5N60L-TA3-T | NTP8G206N

 

 
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