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SI5517DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5517DU
   Código: EA*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

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SI5517DU Datasheet (PDF)

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SI5517DU

Si5517DU Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS RDS(on) ( ) ID (A)a Qg TrenchFET Power MOSFETs 0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK N-Channel 20 0.045 at VGS = 2.5 V 6 6 nc RoHS ChipFET Package COMPLIANT 0.055 at VGS = 1.8 V 6 - Small Footprint Area 0.072 at VGS = - 4.5 V - 6 - Low O

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SI5517DU

Si5519DU Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = 4.5 V 6.0 RoHS N-Channel 20 5.4 nC 0.063 at VGS = 2.5 V COMPLIANT 6.0 APPLICATIONS 0.064 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Portable DC-DC Applications P-Channel - 20 6.0 nC 0.095 at VGS = - 2

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SI5517DU

Si5511DC Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.055 at VGS = 4.5 V 4a,g TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 4.2 nC 0.090 at VGS = 2.5 V 4a,g Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.150 at VGS = - 4.5 V - 3.6a P-Channel - 30 2.8

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Si5515DC Vishay Siliconix Complementary 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 5.9 TrenchFET Power MOSFETs 0.045 at VGS = 2.5 V N-Channel 20 5.6 Ultra Low RDS(on) and Excellent Power 0.052 at VGS = 1.8 V 5.2 Handling In Compact Footprint 0.086 at VGS = -

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