SI5853CDC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5853CDC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm

Encapsulados: 1206-8

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SI5853CDC datasheet

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SI5853CDC

Si5853CDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.104 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.144 at VGS = - 2.5 V - 3.6 4.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.205 at VGS = - 1.8 V

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SI5853CDC

Si5853DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

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SI5853CDC

Shen zhen TuoFeng Semiconductor Techonlogy co., LTD SI5853 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode FEATURE APPLICATIONS MOSFET Battery Powered System -20V/-3.5A, RDS(ON) 110m @VGS = -4.5V Notebook Power Management -20V/-2.4A, RDS(ON) 160m @VGS = -2.5V Cell Phone SCHOTTKY VKA = 20V, VF=0.4V(Typ.)@ IF = 0.5A Full RoHS compliance

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SI5853CDC

Si5853DDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.188 at VGS = - 1.8 V

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