SI5853CDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5853CDC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5853CDC

SI5853CDC Datasheet (PDF)

..1. Size:130K vishay
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Si5853CDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.104 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.144 at VGS = - 2.5 V - 3.6 4.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.205 at VGS = - 1.8 V

8.1. Size:172K vishay
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Si5853DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

8.2. Size:254K vishay
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Shen zhen TuoFeng Semiconductor Techonlogy co., LTDSI5853P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky DiodeFEATUREAPPLICATIONS MOSFET Battery Powered System -20V/-3.5A, RDS(ON) 110m @VGS = -4.5V Notebook Power Management -20V/-2.4A, RDS(ON) 160m@VGS = -2.5V Cell Phone SCHOTTKY VKA = 20V, VF=0.4V(Typ.)@ IF = 0.5A Full RoHS compliance

8.3. Size:190K vishay
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Si5853DDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.188 at VGS = - 1.8 V

8.4. Size:189K vishay
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Liste

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