SI5853CDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI5853CDC
Маркировка: JF*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
SI5853CDC Datasheet (PDF)
si5853cdc.pdf
Si5853CDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.104 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.144 at VGS = - 2.5 V - 3.6 4.2 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.205 at VGS = - 1.8 V
si5853dc.pdf
Si5853DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
si5853.pdf
Shen zhen TuoFeng Semiconductor Techonlogy co., LTDSI5853P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky DiodeFEATUREAPPLICATIONS MOSFET Battery Powered System -20V/-3.5A, RDS(ON) 110m @VGS = -4.5V Notebook Power Management -20V/-2.4A, RDS(ON) 160m@VGS = -2.5V Cell Phone SCHOTTKY VKA = 20V, VF=0.4V(Typ.)@ IF = 0.5A Full RoHS compliance
si5853ddc.pdf
Si5853DDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.188 at VGS = - 1.8 V
si5853dd.pdf
Si5853DDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.188 at VGS = - 1.8 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918