SI5902BDC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5902BDC  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: 1206-8

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SI5902BDC datasheet

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SI5902BDC

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SI5902BDC

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SI5902BDC

Si5902DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 30 TrenchFET Power MOSFETs 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET D1 D2 1 S1 D1 G1 D1 S2 G1 G2 D2 G2 Marking Code D2

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SI5902BDC

Si5904DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 20 TrenchFET Power MOSFET 2.5 V Rated 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET 1 D1 D2 S1 D1 G1 D1 S2 D2 G2 Marking Code

Otros transistores... SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, SI5857DU, SI5858DU, IRF630, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, SI5944DU