Справочник MOSFET. SI5902BDC

 

SI5902BDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5902BDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5902BDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
si5902bdc.pdfpdf_icon

SI5902BDC

Si5902BDCVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.065 at VGS = 10 V 4a TrenchFET Power MOSFET30 2 nC0.100 at VGS = 4.5 V 4a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Applications1206-8 ChipFET

 ..2. Size:112K  vishay
si5902bd si5902bdc.pdfpdf_icon

SI5902BDC

Si5902BDCVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.065 at VGS = 10 V 4a TrenchFET Power MOSFET30 2 nC0.100 at VGS = 4.5 V 4a Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable Applications1206-8 ChipFET

 8.1. Size:112K  vishay
si5902dc.pdfpdf_icon

SI5902BDC

Si5902DCVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.930 TrenchFET Power MOSFETs0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D21S1D1 G1D1 S2G1 G2D2 G2Marking CodeD2

 9.1. Size:223K  vishay
si5904dc.pdfpdf_icon

SI5902BDC

Si5904DCVishay SiliconixDual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.075 at VGS = 4.5 V 4.220 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFET1D1 D2S1D1 G1D1 S2D2 G2Marking Code

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.