SI5902BDC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5902BDC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5902BDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5902BDC даташит

 ..1. Size:242K  vishay
 si5902bdc.pdf pdf_icon

SI5902BDC

 ..2. Size:112K  vishay
 si5902bd si5902bdc.pdf pdf_icon

SI5902BDC

 8.1. Size:112K  vishay
 si5902dc.pdf pdf_icon

SI5902BDC

Si5902DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 30 TrenchFET Power MOSFETs 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET D1 D2 1 S1 D1 G1 D1 S2 G1 G2 D2 G2 Marking Code D2

 9.1. Size:223K  vishay
 si5904dc.pdf pdf_icon

SI5902BDC

Si5904DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 20 TrenchFET Power MOSFET 2.5 V Rated 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET 1 D1 D2 S1 D1 G1 D1 S2 D2 G2 Marking Code

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, SI5857DU, SI5858DU, IRF630, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, SI5944DU