SI5908DC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5908DC 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: 1206-8
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SI5908DC datasheet
si5908dc.pdf
Si5908DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.040 at VGS = 4.5 V 5.9 TrenchFET Power MOSFETs Ultra Low RDS(on) and Excellent Power 0.045 at VGS = 2.5 V 20 5.6 Handling in Compact Footprint 0.052 at VGS = 1.8 V 5.2 Compliant to RoHS Direct
si5902dc.pdf
Si5902DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 30 TrenchFET Power MOSFETs 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET D1 D2 1 S1 D1 G1 D1 S2 G1 G2 D2 G2 Marking Code D2
si5904dc.pdf
Si5904DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 20 TrenchFET Power MOSFET 2.5 V Rated 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET 1 D1 D2 S1 D1 G1 D1 S2 D2 G2 Marking Code
si5905bd.pdf
Si5905BDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4a TrenchFET Power MOSFETs - 8 0.117 at VGS = - 2.5 V - 4a 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.170 at VGS = - 1.8 V - 3.5 APPLICATIONS Load Switch f
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