SI5908DC Todos los transistores

 

SI5908DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5908DC
   Código: CC*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI5908DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
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SI5908DC

Si5908DCVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.040 at VGS = 4.5 V 5.9 TrenchFET Power MOSFETs Ultra Low RDS(on) and Excellent Power0.045 at VGS = 2.5 V 20 5.6Handling in Compact Footprint0.052 at VGS = 1.8 V 5.2 Compliant to RoHS Direct

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SI5908DC

Si5902DCVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.930 TrenchFET Power MOSFETs0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D21S1D1 G1D1 S2G1 G2D2 G2Marking CodeD2

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SI5908DC

Si5904DCVishay SiliconixDual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.075 at VGS = 4.5 V 4.220 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFET1D1 D2S1D1 G1D1 S2D2 G2Marking Code

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SI5908DC

Si5905BDCVishay SiliconixDual P-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 4a TrenchFET Power MOSFETs- 8 0.117 at VGS = - 2.5 V - 4a 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.170 at VGS = - 1.8 V - 3.5APPLICATIONS Load Switch f

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History: AOTL66515 | SWSA1N60DC | NTLJS4114NT1G | STF6N95K5 | 2SK4146-S19-AY | FDMA3028N | 8810B

 

 
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