Справочник MOSFET. SI5908DC

 

SI5908DC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5908DC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5908DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  vishay
si5908dc.pdfpdf_icon

SI5908DC

Si5908DCVishay SiliconixDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.040 at VGS = 4.5 V 5.9 TrenchFET Power MOSFETs Ultra Low RDS(on) and Excellent Power0.045 at VGS = 2.5 V 20 5.6Handling in Compact Footprint0.052 at VGS = 1.8 V 5.2 Compliant to RoHS Direct

 9.1. Size:112K  vishay
si5902dc.pdfpdf_icon

SI5908DC

Si5902DCVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.930 TrenchFET Power MOSFETs0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D21S1D1 G1D1 S2G1 G2D2 G2Marking CodeD2

 9.2. Size:223K  vishay
si5904dc.pdfpdf_icon

SI5908DC

Si5904DCVishay SiliconixDual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.075 at VGS = 4.5 V 4.220 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFET1D1 D2S1D1 G1D1 S2D2 G2Marking Code

 9.3. Size:113K  vishay
si5905bd.pdfpdf_icon

SI5908DC

Si5905BDCVishay SiliconixDual P-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 4a TrenchFET Power MOSFETs- 8 0.117 at VGS = - 2.5 V - 4a 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.170 at VGS = - 1.8 V - 3.5APPLICATIONS Load Switch f

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SDF9130JAB | STM4886E | IRLR130A | ZXMP6A13GTA | BUK9609-55A | CDM7-650 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.