SI5913DC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI5913DC 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
Encapsulados: 1206-8
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SI5913DC datasheet
si5913dc.pdf
Si5913DC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.084 at VGS = - 10 V - 4f LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 4f 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.175 at VGS = - 2.5 V - 3.5
si5915dc.pdf
Si5915DC Vishay Siliconix Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.070 at VGS = - 4.5 V - 4.6 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.108 at VGS = - 2.5 V - 3.7 Low Thermal Resistance 0.162 at VGS = - 1.8 V - 3.0 40 % Smaller Footprint than TSOP-6 Compliant to RoHS D
si5915bd.pdf
Si5915BDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.070 at VGS = - 4.5 V 4a TrenchFET Power MOSFET Low Thermal Resistance - 8 0.086 at VGS = - 2.5 V 4a 5 nC 40 % Smaller Footprint than TSOP-6 0.145 at VGS = - 1.8 V 3.6 Compliant
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History: SI5486DU
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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