SI5913DC Todos los transistores

 

SI5913DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5913DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.084 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

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SI5913DC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  vishay
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SI5913DC

Si5913DC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A)a Definition 0.084 at VGS = - 10 V - 4f LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 4f 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.175 at VGS = - 2.5 V - 3.5

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SI5913DC

Si5915DC Vishay Siliconix Dual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.070 at VGS = - 4.5 V - 4.6 TrenchFET Power MOSFET - 8 0.108 at VGS = - 2.5 V - 3.7 Low Thermal Resistance 0.162 at VGS = - 1.8 V - 3.0 40 % Smaller Footprint than TSOP-6 Compliant to RoHS D

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SI5913DC

Si5915BDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.070 at VGS = - 4.5 V 4a TrenchFET Power MOSFET Low Thermal Resistance - 8 0.086 at VGS = - 2.5 V 4a 5 nC 40 % Smaller Footprint than TSOP-6 0.145 at VGS = - 1.8 V 3.6 Compliant

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History: SI4497DY

 

 
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