SI5913DC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI5913DC
Маркировка: DJ*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.084 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
SI5913DC Datasheet (PDF)
si5913dc.pdf
Si5913DCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)aDefinition0.084 at VGS = - 10 V - 4f LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.108 at VGS = - 4.5 V - 4f 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.175 at VGS = - 2.5 V - 3.5
si5915dc.pdf
Si5915DCVishay SiliconixDual P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.070 at VGS = - 4.5 V - 4.6 TrenchFET Power MOSFET- 8 0.108 at VGS = - 2.5 V - 3.7 Low Thermal Resistance0.162 at VGS = - 1.8 V - 3.0 40 % Smaller Footprint than TSOP-6 Compliant to RoHS D
si5915bd.pdf
Si5915BDCVishay SiliconixDual P-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.070 at VGS = - 4.5 V 4a TrenchFET Power MOSFET Low Thermal Resistance- 80.086 at VGS = - 2.5 V 4a 5 nC 40 % Smaller Footprint than TSOP-60.145 at VGS = - 1.8 V 3.6 Compliant
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
