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SI5933CDC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5933CDC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.144 Ohm
   Paquete / Cubierta: 1206-8

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SI5933CDC Datasheet (PDF)

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SI5933CDC

Si5933CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET 0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC - 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0 APPLICATI

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SI5933CDC

Si5933CDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET 0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC - 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0 APPLICATI

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SI5933CDC

Si5938DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC ChipFET Package COMPLIANT - Small Footprint Area 0.055 at VGS = 1.8 V 6 - Low On-Resistance PowerPAK C

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New Product Si5936DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package 0.030 at VGS = 10 V 6 - Small Footprint Area 30 3.5 nC - Low On-Resistance 0.040 at VGS = 4.5 V 6 - Thin 0.8 mm Profile 100 % Rg Tested Mater

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