Справочник MOSFET. SI5933CDC

 

SI5933CDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5933CDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.144 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
 

 Аналог (замена) для SI5933CDC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5933CDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
 si5933cdc.pdf pdf_icon

SI5933CDC

Si5933CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC- 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0APPLICATI

 6.1. Size:238K  vishay
 si5933cd.pdf pdf_icon

SI5933CDC

Si5933CDCVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 TrenchFET Power MOSFET0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.0 4.1 nC- 20 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.222 at VGS = - 1.8 V - 3.0APPLICATI

 9.1. Size:130K  vishay
 si5938du.pdf pdf_icon

SI5933CDC

Si5938DUVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.039 at VGS = 4.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area0.055 at VGS = 1.8 V 6- Low On-ResistancePowerPAK C

 9.2. Size:151K  vishay
 si5936du.pdf pdf_icon

SI5933CDC

New Product Si5936DUVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)a Qg (Typ.) Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package0.030 at VGS = 10 V 6- Small Footprint Area30 3.5 nC- Low On-Resistance0.040 at VGS = 4.5 V 6- Thin 0.8 mm Profile 100 % Rg Tested Mater

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI5855CDC , SI5857DU , SI5858DU , SI5902BDC , SI5904DC , SI5906DU , SI5908DC , SI5913DC , K4145 , SI5935CDC , SI5936DU , SI5944DU , SI5980DU , SI5997DU , SI5999EDU , SI6404DQ , SI6410DQ .

 

 
Back to Top

 


 
.