SI5980DU Todos los transistores

 

SI5980DU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5980DU
   Código: CE*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.567 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK
 

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SI5980DU Datasheet (PDF)

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SI5980DU

Si5980DUVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.567 at VGS = 10 V 100 2.2 nC2.5 TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Dual- Low On-Resistance- Thin 0.8

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History: NIF5002NT1G | SJMN850R80ZF

 

 
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