SI5980DU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI5980DU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.567 Ohm

Encapsulados: POWERPAK

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SI5980DU datasheet

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SI5980DU

Si5980DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.567 at VGS = 10 V 100 2.2 nC 2.5 TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Dual - Low On-Resistance - Thin 0.8

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