SI5980DU - аналоги и даташиты транзистора

 

SI5980DU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI5980DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.567 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
 

 Аналог (замена) для SI5980DU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5980DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  vishay
 si5980du.pdf pdf_icon

SI5980DU

Si5980DUVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.567 at VGS = 10 V 100 2.2 nC2.5 TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Dual- Low On-Resistance- Thin 0.8

Другие MOSFET... SI5904DC , SI5906DU , SI5908DC , SI5913DC , SI5933CDC , SI5935CDC , SI5936DU , SI5944DU , AO3400 , SI5997DU , SI5999EDU , SI6404DQ , SI6410DQ , SI6413DQ , SI6415DQ , SI6423DQ , SI6433BDQ .

History: SWN4N65DD | 2P308D9 | SWD068R08E8T | HMS4296 | NP80N04MHE

 

 
Back to Top

 


 
.