SI5980DU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI5980DU
Маркировка: CE*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.567 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK
SI5980DU Datasheet (PDF)
..1. Size:112K vishay
si5980du.pdf
si5980du.pdf
Si5980DUVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.567 at VGS = 10 V 100 2.2 nC2.5 TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAKChipFET Package- Small Footprint AreaPowerPAK ChipFET Dual- Low On-Resistance- Thin 0.8
Другие MOSFET... SI5904DC , SI5906DU , SI5908DC , SI5913DC , SI5933CDC , SI5935CDC , SI5936DU , SI5944DU , 20N50 , SI5997DU , SI5999EDU , SI6404DQ , SI6410DQ , SI6413DQ , SI6415DQ , SI6423DQ , SI6433BDQ .
