SI5980DU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5980DU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.567 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5980DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5980DU даташит

 ..1. Size:112K  vishay
 si5980du.pdf pdf_icon

SI5980DU

Si5980DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.567 at VGS = 10 V 100 2.2 nC 2.5 TrenchFET Power MOSFET New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package - Small Footprint Area PowerPAK ChipFET Dual - Low On-Resistance - Thin 0.8

Другие IGBT... SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, SI5944DU, AO3401, SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ, SI6433BDQ