SI5999EDU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI5999EDU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI5999EDU

SI5999EDU Datasheet (PDF)

..1. Size:170K vishay
si5999edu.pdf

Si5999EDUVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.096 at VGS = - 2.5 V - 6aChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance

6.1. Size:170K vishay
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9.1. Size:167K vishay
si5997du.pdf

Si5997DUVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.054 at VGS = - 10 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 30 4.8 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.088 at VGS = - 4.5 V - 6aChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance-

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: