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SI5999EDU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI5999EDU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 141 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK

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SI5999EDU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  vishay
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Si5999EDU Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.096 at VGS = - 2.5 V - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance

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Si5999EDU Vishay Siliconix Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.096 at VGS = - 2.5 V - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance

 9.1. Size:167K  vishay
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Si5997DU Vishay Siliconix Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.054 at VGS = - 10 V - 6a TrenchFET Power MOSFET - 30 4.8 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.088 at VGS = - 4.5 V - 6a ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance -

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