SI5999EDU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI5999EDU
Маркировка: OA*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 141 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.059 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK
SI5999EDU Datasheet (PDF)
si5999edu.pdf
Si5999EDUVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.096 at VGS = - 2.5 V - 6aChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance
si5999ed.pdf
Si5999EDUVishay SiliconixDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.059 at VGS = - 4.5 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 20 6.9 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.096 at VGS = - 2.5 V - 6aChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance
si5997du.pdf
Si5997DUVishay SiliconixDual P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.054 at VGS = - 10 V - 6a TrenchFET Power MOSFET- 30 4.8 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.088 at VGS = - 4.5 V - 6aChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance-
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
