SI6404DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI6404DQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.08 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6 VQgⓘ - Carga de la puerta: 48 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
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SI6404DQ Datasheet (PDF)
si6404dq.pdf
Si6404DQVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V Rated0.009 at VGS = 10 V 11 30 V VDS RoHS0.010 at VGS = 4.5 V 30 10COMPLIANT0.014 at VGS = 2.5 V 8.8APPLICATIONS Battery Switch Charger SwitchDTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be
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