SI6404DQ Todos los transistores

 

SI6404DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6404DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.08 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SI6404DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  vishay
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SI6404DQ

Si6404DQVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V Rated0.009 at VGS = 10 V 11 30 V VDS RoHS0.010 at VGS = 4.5 V 30 10COMPLIANT0.014 at VGS = 2.5 V 8.8APPLICATIONS Battery Switch Charger SwitchDTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be

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History: WFF12N65 | AOL1404 | AOK53S60 | SVF2N60CM | DMP1022UFDF | FMW30N60S1HF | 2SK3804-01S

 

 
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