SI6404DQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6404DQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6404DQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6404DQ даташит

 ..1. Size:198K  vishay
 si6404dq.pdf pdf_icon

SI6404DQ

Si6404DQ Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETS 2.5 V Rated 0.009 at VGS = 10 V 11 30 V VDS RoHS 0.010 at VGS = 4.5 V 30 10 COMPLIANT 0.014 at VGS = 2.5 V 8.8 APPLICATIONS Battery Switch Charger Switch D TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be

Другие IGBT... SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, SI5944DU, SI5980DU, SI5997DU, SI5999EDU, 4435, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ, SI6433BDQ, SI6435ADQ, SI6443DQ, SI6459BDQ