Справочник MOSFET. SI6404DQ

 

SI6404DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6404DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI6404DQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6404DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  vishay
 si6404dq.pdf pdf_icon

SI6404DQ

Si6404DQVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 2.5 V Rated0.009 at VGS = 10 V 11 30 V VDS RoHS0.010 at VGS = 4.5 V 30 10COMPLIANT0.014 at VGS = 2.5 V 8.8APPLICATIONS Battery Switch Charger SwitchDTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be

Другие MOSFET... SI5913DC , SI5933CDC , SI5935CDC , SI5936DU , SI5944DU , SI5980DU , SI5997DU , SI5999EDU , 2SK3568 , SI6410DQ , SI6413DQ , SI6415DQ , SI6423DQ , SI6433BDQ , SI6435ADQ , SI6443DQ , SI6459BDQ .

History: IRF621FI | HSM3002 | PZ5S6JZ | SSP1N50A | SWHA80N08V1 | STI14NM65N | MTD6N15T4G

 

 
Back to Top

 


 
.