SI6413DQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI6413DQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SI6413DQ datasheet

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SI6413DQ

Si6413DQ Vishay Siliconix P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = - 4.5 V - 8.8 RoHS 0.013 at VGS = - 2.5 V - 20 - 7.6 COMPLIANT APPLICATIONS 0.016 at VGS = - 1.8 V - 6.8 Load Switch PA Switch Charger Switch S* TSSOP-8 G * Source Pins 2, 3, 6 and 7

 9.1. Size:196K  vishay
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SI6413DQ

Si6415DQ Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.019 at VGS = - 10 V 6.5 Available - 30 0.030 at VGS = - 4.5 V 5.2 RoHS* COMPLIANT S* TSSOP-8 G * Source Pins 2, 3, 6 and 7 D D 1 8 must be tied common. S S 2 7 Si6415DQ S S 3 6 G D 4 5 Top V

 9.2. Size:194K  vishay
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SI6413DQ

Si6410DQ Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.014 at VGS = 10 V 7.8 30 RoHS 0.021 at VGS = 4.5 V 6.3 COMPLIANT D TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. G D D 1 8 S S 2 7 Si6410DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View S* Ordering Information

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