SI6413DQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI6413DQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 69 nC
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
SI6413DQ Datasheet (PDF)
si6413dq.pdf
Si6413DQVishay SiliconixP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.010 at VGS = - 4.5 V - 8.8RoHS0.013 at VGS = - 2.5 V - 20 - 7.6COMPLIANTAPPLICATIONS0.016 at VGS = - 1.8 V - 6.8 Load Switch PA Switch Charger SwitchS*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7
si6415dq.pdf
Si6415DQVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.019 at VGS = - 10 V 6.5Available- 300.030 at VGS = - 4.5 V 5.2RoHS*COMPLIANTS*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 D D1 8must be tied common.S S2 7Si6415DQS S3 6G D4 5Top V
si6410dq.pdf
Si6410DQVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.014 at VGS = 10 V 7.830RoHS0.021 at VGS = 4.5 V 6.3COMPLIANTDTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.GD D1 8S S2 7Si6410DQS S3 6G D4 5Top View S*Ordering Information:
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
