SI6423DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI6423DQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6423DQ
SI6423DQ Datasheet (PDF)
si6423dq.pdf
Si6423DQ Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.0085 at VGS = - 4.5 V - 9.5 RoHS 0.0106 at VGS = - 2.5 V - 12 - 8.5 COMPLIANT APPLICATIONS 0.014 at VGS = - 1.8 V - 7.5 Load Switch S* G TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8 S S
si6423dq-t1.pdf
SI6423DQ-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Pb-free TrenchFET Power MOSFETs 0.012 at VGS = - 4.5 V Available - 9.0 RoHS* 0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8 COMPLIANT 0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 S S 3
si6426dq.pdf
Si6426DQ N-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFET Product Summary VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.035 @ VGS = 4.5 V "5.4 20 20 0.04 @ VGS = 2.5 V "4.9 D TSSOP-8 1 8 D D D S 2 7 S Si6426DQ G S 3 6 S G 4 5 D *Source Pins 2, 3, 6, and 7 Top View must be tied common. S* N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Sour
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Liste
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