SI6423DQ Todos los transistores

 

SI6423DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6423DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 74 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 

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SI6423DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  vishay
 si6423dq.pdf pdf_icon

SI6423DQ

Si6423DQVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0085 at VGS = - 4.5 V - 9.5RoHS0.0106 at VGS = - 2.5 V - 12 - 8.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.014 at VGS = - 1.8 V - 7.5 Load SwitchS*GTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S

 0.1. Size:863K  cn vbsemi
 si6423dq-t1.pdf pdf_icon

SI6423DQ

SI6423DQ-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = - 4.5 V Available- 9.0RoHS*0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8COMPLIANT0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0S*TSSOP-8 GD D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7 S S 3

 9.1. Size:40K  vishay
 si6426dq.pdf pdf_icon

SI6423DQ

Si6426DQN-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 4.5 V "5.420200.04 @ VGS = 2.5 V "4.9DTSSOP-81 8D DDS 2 7 SSi6426DQ GS 3 6 SG 4 5 D*Source Pins 2, 3, 6, and 7Top Viewmust be tied common.S*N-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sour

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