SI6423DQ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI6423DQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74 nC
trⓘ - Время нарастания: 75 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
SI6423DQ Datasheet (PDF)
si6423dq.pdf
Si6423DQVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.0085 at VGS = - 4.5 V - 9.5RoHS0.0106 at VGS = - 2.5 V - 12 - 8.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.014 at VGS = - 1.8 V - 7.5 Load SwitchS*GTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S
si6423dq-t1.pdf
SI6423DQ-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.012 at VGS = - 4.5 V Available- 9.0RoHS*0.015 at VGS = - 2.5 V -20 - 7.8COMPLIANT0.020 at VGS = - 1.8 V - 6.0S*TSSOP-8 GD D 1 8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7 S S 3
si6426dq.pdf
Si6426DQN-Channel 2.5-V (G-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.035 @ VGS = 4.5 V "5.420200.04 @ VGS = 2.5 V "4.9DTSSOP-81 8D DDS 2 7 SSi6426DQ GS 3 6 SG 4 5 D*Source Pins 2, 3, 6, and 7Top Viewmust be tied common.S*N-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sour
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
