SI6433BDQ Todos los transistores

 

SI6433BDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6433BDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6433BDQ

 

SI6433BDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
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SI6433BDQ

Si6433BDQ Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.8 - 12 RoHS 0.070 at VGS = - 2.5 V - 3.6 COMPLIANT S* TSSOP-8 G * Source Pins 2, 3, 6 and 7 D D 1 8 must be tied common. S S 2 7 S S 3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information Si6433BDQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free a

 8.1. Size:65K  vishay
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SI6433BDQ

Si6433DQ Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.06 @ VGS = 4.5 V "4.0 12 12 0.09 @ VGS = 2.5 V "3.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 Si6433DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Sy

 9.1. Size:53K  vishay
si6436dq.pdf pdf_icon

SI6433BDQ

Si6436DQ N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET Product Summary VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.045 @ VGS = 10 V "4.4 30 30 0.070 @ VGS = 4.5 V "3.5 D TSSOP-8 1 8 D D D *Source Pins 2, 3, 6 and 7 S 2 7 S must be tied common. Si6436DQ G S 3 6 S G 4 5 D Top View S* N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Sourc

 9.2. Size:59K  vishay
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SI6433BDQ

Si6434DQ Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D 100% Rg Tested VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.028 @ VGS = 10 V 5.6 30 30 0.042 @ VGS = 4.5 V 4.5 D TSSOP-8 D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 G S S 3 6 G D 4 5 Top View S* Ordering Information Si6434DQ-T1 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

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