SI6433BDQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6433BDQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6433BDQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6433BDQ даташит

 ..1. Size:204K  vishay
si6433bdq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6433BDQ Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.8 - 12 RoHS 0.070 at VGS = - 2.5 V - 3.6 COMPLIANT S* TSSOP-8 G * Source Pins 2, 3, 6 and 7 D D 1 8 must be tied common. S S 2 7 S S 3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information Si6433BDQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free a

 8.1. Size:65K  vishay
si6433dq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6433DQ Vishay Siliconix P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.06 @ VGS = 4.5 V "4.0 12 12 0.09 @ VGS = 2.5 V "3.0 S* TSSOP-8 G D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 Si6433DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Sy

 9.1. Size:53K  vishay
si6436dq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6436DQ N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET Product Summary VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.045 @ VGS = 10 V "4.4 30 30 0.070 @ VGS = 4.5 V "3.5 D TSSOP-8 1 8 D D D *Source Pins 2, 3, 6 and 7 S 2 7 S must be tied common. Si6436DQ G S 3 6 S G 4 5 D Top View S* N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Sourc

 9.2. Size:59K  vishay
si6434dq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6434DQ Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D 100% Rg Tested VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.028 @ VGS = 10 V 5.6 30 30 0.042 @ VGS = 4.5 V 4.5 D TSSOP-8 D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 G S S 3 6 G D 4 5 Top View S* Ordering Information Si6434DQ-T1 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

Другие IGBT... SI5980DU, SI5997DU, SI5999EDU, SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ, AON7410, SI6435ADQ, SI6443DQ, SI6459BDQ, SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ