Справочник MOSFET. SI6433BDQ

 

SI6433BDQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6433BDQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.05 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI6433BDQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6433BDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
si6433bdq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6433BDQVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)0.040 at VGS = - 4.5 V - 4.8- 12RoHS0.070 at VGS = - 2.5 V - 3.6COMPLIANTS*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 D D1 8must be tied common.S S2 7S S3 6G D4 5Top View DOrdering Information: Si6433BDQ-T1-GE3 (Lead (Pb)-free a

 8.1. Size:65K  vishay
si6433dq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6433DQVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.06 @ VGS = 4.5 V "4.012120.09 @ VGS = 2.5 V "3.0S*TSSOP-8GD D1 8D* Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7Si6433DQS S3 6G D4 5Top ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Sy

 9.1. Size:53K  vishay
si6436dq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6436DQN-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.045 @ VGS = 10 V "4.430300.070 @ VGS = 4.5 V "3.5DTSSOP-81 8D DD*Source Pins 2, 3, 6 and 7 S 2 7 Smust be tied common.Si6436DQ GS 3 6 SG 4 5 DTop ViewS*N-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Sourc

 9.2. Size:59K  vishay
si6434dq.pdfpdf_icon

SI6433BDQ

Si6434DQVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.028 @ VGS = 10 V 5.630300.042 @ VGS = 4.5 V 4.5DTSSOP-8D D1 8D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7GS S3 6G D4 5Top ViewS*Ordering Information: Si6434DQ-T1N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

Другие MOSFET... SI5980DU , SI5997DU , SI5999EDU , SI6404DQ , SI6410DQ , SI6413DQ , SI6415DQ , SI6423DQ , RFP50N06 , SI6435ADQ , SI6443DQ , SI6459BDQ , SI6463BDQ , SI6465DQ , SI6466ADQ , SI6467BDQ , SI6469DQ .

History: IRFB4610PBF | AM7363P

 

 
Back to Top

 


 
.