SI6459BDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI6459BDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6459BDQ

SI6459BDQ Datasheet (PDF)

..1. Size:204K vishay
si6459bdq.pdf

Si6459BDQVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.115 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 600.150 at VGS = - 4.5 V - 2.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS*GTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8

8.1. Size:71K vishay
si6459dq.pdf

Si6459DQVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.120 @ VGS = 10 V "2.660600.150 @ VGS = 4.5 V "2.4S*TSSOP-8GD D1 8D* Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7Si6459DQS S3 6G D4 5Top ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Sy

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CS100N03FB9

Liste

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