SI6459BDQ Todos los transistores

 

SI6459BDQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6459BDQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

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SI6459BDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
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SI6459BDQ

Si6459BDQ Vishay Siliconix P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.115 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 60 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S* G TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8

 8.1. Size:71K  vishay
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SI6459BDQ

Si6459DQ Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.120 @ VGS = 10 V "2.6 60 60 0.150 @ VGS = 4.5 V "2.4 S* TSSOP-8 G D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 Si6459DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Sy

Otros transistores... SI6404DQ , SI6410DQ , SI6413DQ , SI6415DQ , SI6423DQ , SI6433BDQ , SI6435ADQ , SI6443DQ , IRF1010E , SI6463BDQ , SI6465DQ , SI6466ADQ , SI6467BDQ , SI6469DQ , SI6473DQ , SI6544BDQ , SI6562CDQ .

History: IXFN20N120P

 

 
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