SI6459BDQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6459BDQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6459BDQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6459BDQ даташит

 ..1. Size:204K  vishay
 si6459bdq.pdf pdf_icon

SI6459BDQ

Si6459BDQ Vishay Siliconix P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.115 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 60 0.150 at VGS = - 4.5 V - 2.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S* G TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8

 8.1. Size:71K  vishay
 si6459dq.pdf pdf_icon

SI6459BDQ

Si6459DQ Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.120 @ VGS = 10 V "2.6 60 60 0.150 @ VGS = 4.5 V "2.4 S* TSSOP-8 G D D 1 8 D * Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common. 2 7 Si6459DQ S S 3 6 G D 4 5 Top View D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Sy

Другие IGBT... SI6404DQ, SI6410DQ, SI6413DQ, SI6415DQ, SI6423DQ, SI6433BDQ, SI6435ADQ, SI6443DQ, IRF1010E, SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ, SI6473DQ, SI6544BDQ, SI6562CDQ