Справочник MOSFET. SI6459BDQ

 

SI6459BDQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6459BDQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI6459BDQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6459BDQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  vishay
 si6459bdq.pdf pdf_icon

SI6459BDQ

Si6459BDQVishay SiliconixP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.115 at VGS = - 10 V - 2.7 TrenchFET Power MOSFET - 600.150 at VGS = - 4.5 V - 2.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS*GTSSOP-8* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8

 8.1. Size:71K  vishay
 si6459dq.pdf pdf_icon

SI6459BDQ

Si6459DQVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.120 @ VGS = 10 V "2.660600.150 @ VGS = 4.5 V "2.4S*TSSOP-8GD D1 8D* Source Pins 2, 3, 6 and 7 S S must be tied common.2 7Si6459DQS S3 6G D4 5Top ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Sy

Другие MOSFET... SI6404DQ , SI6410DQ , SI6413DQ , SI6415DQ , SI6423DQ , SI6433BDQ , SI6435ADQ , SI6443DQ , IRF530 , SI6463BDQ , SI6465DQ , SI6466ADQ , SI6467BDQ , SI6469DQ , SI6473DQ , SI6544BDQ , SI6562CDQ .

History: SIR882ADP | NCE30H15B | WMK15N65C2 | SSF65R120S2 | D7509 | NTMD3P03R2G | IRFR6215

 

 
Back to Top

 


 
.