SI6473DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI6473DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.08 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.45 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6473DQ

SI6473DQ Datasheet (PDF)

..1. Size:216K vishay
si6473dq.pdf

Si6473DQVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.0125 at VGS = - 4.5 V - 9.5RoHS0.016 at VGS = - 2.5 V - 20 - 8.5COMPLIANT0.0215 at VGS = - 1.8 V - 7.3S*GTSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6473DQS S3 6G D4

9.1. Size:96K vishay
si6475dq.pdf

Si6475DQVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.011 at VGS = - 4.5 V - 10RoHS0.0135 at VGS = - 2.5 V - 12 - 9COMPLIANT0.017 at VGS = - 1.8 V - 8S*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6475DQS S3 6G D4 5T

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: