SI6473DQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6473DQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6473DQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6473DQ даташит

 ..1. Size:216K  vishay
 si6473dq.pdf pdf_icon

SI6473DQ

Si6473DQ Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.0125 at VGS = - 4.5 V - 9.5 RoHS 0.016 at VGS = - 2.5 V - 20 - 8.5 COMPLIANT 0.0215 at VGS = - 1.8 V - 7.3 S* G TSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8 S S 2 7 Si6473DQ S S 3 6 G D 4

 9.1. Size:96K  vishay
 si6475dq.pdf pdf_icon

SI6473DQ

Si6475DQ Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.011 at VGS = - 4.5 V - 10 RoHS 0.0135 at VGS = - 2.5 V - 12 - 9 COMPLIANT 0.017 at VGS = - 1.8 V - 8 S* TSSOP-8 G * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common. D D 1 8 S S 2 7 Si6475DQ S S 3 6 G D 4 5 T

Другие IGBT... SI6435ADQ, SI6443DQ, SI6459BDQ, SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ, AON7506, SI6544BDQ, SI6562CDQ, SI6913DQ, SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ