SI6473DQ - аналоги и даташиты транзистора

 

SI6473DQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI6473DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI6473DQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6473DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  vishay
 si6473dq.pdf pdf_icon

SI6473DQ

Si6473DQVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.0125 at VGS = - 4.5 V - 9.5RoHS0.016 at VGS = - 2.5 V - 20 - 8.5COMPLIANT0.0215 at VGS = - 1.8 V - 7.3S*GTSSOP-8 * Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6473DQS S3 6G D4

 9.1. Size:96K  vishay
 si6475dq.pdf pdf_icon

SI6473DQ

Si6475DQVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs0.011 at VGS = - 4.5 V - 10RoHS0.0135 at VGS = - 2.5 V - 12 - 9COMPLIANT0.017 at VGS = - 1.8 V - 8S*TSSOP-8G* Source Pins 2, 3, 6 and 7 must be tied common.D D1 8S S2 7Si6475DQS S3 6G D4 5T

Другие MOSFET... SI6435ADQ , SI6443DQ , SI6459BDQ , SI6463BDQ , SI6465DQ , SI6466ADQ , SI6467BDQ , SI6469DQ , 2N7002 , SI6544BDQ , SI6562CDQ , SI6913DQ , SI6925ADQ , SI6926ADQ , SI6928DQ , SI6943BDQ , SI6954ADQ .

History: IPB039N10N3G | IRF2804S-7P | IPB034N06N3G | SPC6602 | HY75N10T | PMPB27EP | IRFD020

 

 
Back to Top

 


 
.