SI6913DQ Todos los transistores

 

SI6913DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6913DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

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SI6913DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ

Si6913DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Material categorization 0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see - 5.8 www.vishay.com/doc?99912 0.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.0 0.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4 APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

 0.1. Size:855K  cn vbsemi
 si6913dq-t1.pdf pdf_icon

SI6913DQ

SI6913DQ-T1 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2

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