Справочник MOSFET. SI6913DQ

 

SI6913DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6913DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI6913DQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6913DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ

Si6913DQVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see- 5.8www.vishay.com/doc?999120.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.00.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

 0.1. Size:855K  cn vbsemi
 si6913dq-t1.pdf pdf_icon

SI6913DQ

SI6913DQ-T1www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2

Другие MOSFET... SI6463BDQ , SI6465DQ , SI6466ADQ , SI6467BDQ , SI6469DQ , SI6473DQ , SI6544BDQ , SI6562CDQ , IRFZ24N , SI6925ADQ , SI6926ADQ , SI6928DQ , SI6943BDQ , SI6954ADQ , SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ .

History: STP16N60M2 | WMLL025N10HGS

 

 
Back to Top

 


 
.