SI6913DQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6913DQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6913DQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6913DQ даташит

 ..1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ

Si6913DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Material categorization 0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see - 5.8 www.vishay.com/doc?99912 0.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.0 0.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4 APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

 0.1. Size:855K  cn vbsemi
 si6913dq-t1.pdf pdf_icon

SI6913DQ

SI6913DQ-T1 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2

Другие IGBT... SI6463BDQ, SI6465DQ, SI6466ADQ, SI6467BDQ, SI6469DQ, SI6473DQ, SI6544BDQ, SI6562CDQ, TK10A60D, SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ, SI6963BDQ, SI6968BEDQ, SI6981DQ