SI6981DQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI6981DQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI6981DQ

SI6981DQ Datasheet (PDF)

..1. Size:217K vishay
si6981dq.pdf

Si6981DQVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 4.5 V - 4.8RoHS0.041 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS0.058 at VGS = - 1.8 V - 3.5 Load Switch Battery SwitchS1 S2G1 G2TSSOP-8D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S2

9.1. Size:99K vishay
si6983dq.pdf

Si6983DQVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = - 4.5 V - 5.4RoHSCOMPLIANT0.030 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8APPLICATIONS0.042 at VGS = - 1.8 V Load Switch- 4.0 Battery SwitchS1 S2TSSOP-8 G1 G2D 1 1 D 2 8 S 1 2 S 2 7 S 1

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Liste

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