SI6981DQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI6981DQ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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SI6981DQ datasheet

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SI6981DQ

Si6981DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 4.5 V - 4.8 RoHS 0.041 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS 0.058 at VGS = - 1.8 V - 3.5 Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2

 9.1. Size:99K  vishay
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SI6981DQ

Si6983DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = - 4.5 V - 5.4 RoHS COMPLIANT 0.030 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 APPLICATIONS 0.042 at VGS = - 1.8 V Load Switch - 4.0 Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D 1 1 D 2 8 S 1 2 S 2 7 S 1

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