SI6981DQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI6981DQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI6981DQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6981DQ даташит

 ..1. Size:217K  vishay
 si6981dq.pdf pdf_icon

SI6981DQ

Si6981DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 4.5 V - 4.8 RoHS 0.041 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS 0.058 at VGS = - 1.8 V - 3.5 Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2

 9.1. Size:99K  vishay
 si6983dq.pdf pdf_icon

SI6981DQ

Si6983DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = - 4.5 V - 5.4 RoHS COMPLIANT 0.030 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 APPLICATIONS 0.042 at VGS = - 1.8 V Load Switch - 4.0 Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D 1 1 D 2 8 S 1 2 S 2 7 S 1

Другие IGBT... SI6913DQ, SI6925ADQ, SI6926ADQ, SI6928DQ, SI6943BDQ, SI6954ADQ, SI6963BDQ, SI6968BEDQ, 5N60, SI6993DQ, SI7100DN, SI7101DN, SI7102DN, SI7104DN, SI7106DN, SI7107DN, SI7108DN