SI6981DQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI6981DQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
SI6981DQ Datasheet (PDF)
si6981dq.pdf
Si6981DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 4.5 V - 4.8 RoHS 0.041 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS 0.058 at VGS = - 1.8 V - 3.5 Load Switch Battery Switch S1 S2 G1 G2 TSSOP-8 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2
si6983dq.pdf
Si6983DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = - 4.5 V - 5.4 RoHS COMPLIANT 0.030 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8 APPLICATIONS 0.042 at VGS = - 1.8 V Load Switch - 4.0 Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D 1 1 D 2 8 S 1 2 S 2 7 S 1
Другие MOSFET... SI6913DQ , SI6925ADQ , SI6926ADQ , SI6928DQ , SI6943BDQ , SI6954ADQ , SI6963BDQ , SI6968BEDQ , 5N60 , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , SI7102DN , SI7104DN , SI7106DN , SI7107DN , SI7108DN .
History: IXFN200N10P
History: IXFN200N10P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor



