Справочник MOSFET. SI6981DQ

 

SI6981DQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6981DQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI6981DQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6981DQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  vishay
 si6981dq.pdf pdf_icon

SI6981DQ

Si6981DQVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.031 at VGS = - 4.5 V - 4.8RoHS0.041 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS0.058 at VGS = - 1.8 V - 3.5 Load Switch Battery SwitchS1 S2G1 G2TSSOP-8D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S2

 9.1. Size:99K  vishay
 si6983dq.pdf pdf_icon

SI6981DQ

Si6983DQVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.024 at VGS = - 4.5 V - 5.4RoHSCOMPLIANT0.030 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.8APPLICATIONS0.042 at VGS = - 1.8 V Load Switch- 4.0 Battery SwitchS1 S2TSSOP-8 G1 G2D 1 1 D 2 8 S 1 2 S 2 7 S 1

Другие MOSFET... SI6913DQ , SI6925ADQ , SI6926ADQ , SI6928DQ , SI6943BDQ , SI6954ADQ , SI6963BDQ , SI6968BEDQ , 13N50 , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , SI7102DN , SI7104DN , SI7106DN , SI7107DN , SI7108DN .

 

 
Back to Top

 


 
.