SI7106DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7106DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 19.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SI7106DN MOSFET
SI7106DN Datasheet (PDF)
si7106dn.pdf

Si7106DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0062 at VGS = 4.5 V RoHS 19.520 17.5 nC COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0098 at VGS = 2.5 V 15.5Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized
si7100dn.pdf

Si7100DNVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package8 40 nC0.0045 at VGS = 2.5 V 35with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK 12
si7107dn.pdf

Si7107DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life- 11.2 New PowerPAK P
si7101dn.pdf

New ProductSi7101DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0072 at VGS = - 10 V - 35d- 30 32 nC For definitions of compliance please see0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPL
Otros transistores... SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , SI7102DN , SI7104DN , CS150N03A8 , SI7107DN , SI7108DN , SI7110DN , SI7112DN , SI7113DN , SI7114ADN , SI7114DN , SI7115DN .
History: SRT10N090L | SWF6N80D
History: SRT10N090L | SWF6N80D



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