SI7106DN - аналоги и даташиты транзистора

 

SI7106DN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI7106DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7106DN

 

SI7106DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  vishay
si7106dn.pdfpdf_icon

SI7106DN

Si7106DN Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0062 at VGS = 4.5 V RoHS 19.5 20 17.5 nC COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0098 at VGS = 2.5 V 15.5 Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized

 9.1. Size:547K  vishay
si7100dn.pdfpdf_icon

SI7106DN

Si7100DN Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 4.5 V 35 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package 8 40 nC 0.0045 at VGS = 2.5 V 35 with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 12

 9.2. Size:550K  vishay
si7107dn.pdfpdf_icon

SI7106DN

Si7107DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life - 11.2 New PowerPAK P

 9.3. Size:563K  vishay
si7101dn.pdfpdf_icon

SI7106DN

New Product Si7101DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0072 at VGS = - 10 V - 35d - 30 32 nC For definitions of compliance please see 0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPL

Другие MOSFET... SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , SI7102DN , SI7104DN , IRF520 , SI7107DN , SI7108DN , SI7110DN , SI7112DN , SI7113DN , SI7114ADN , SI7114DN , SI7115DN .

 

 
Back to Top

 


 
.