SI7106DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7106DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
Аналог (замена) для SI7106DN
SI7106DN Datasheet (PDF)
si7106dn.pdf

Si7106DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0062 at VGS = 4.5 V RoHS 19.520 17.5 nC COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0098 at VGS = 2.5 V 15.5Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized
si7100dn.pdf

Si7100DNVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package8 40 nC0.0045 at VGS = 2.5 V 35with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK 12
si7107dn.pdf

Si7107DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life- 11.2 New PowerPAK P
si7101dn.pdf

New ProductSi7101DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0072 at VGS = - 10 V - 35d- 30 32 nC For definitions of compliance please see0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPL
Другие MOSFET... SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , SI7102DN , SI7104DN , CS150N03A8 , SI7107DN , SI7108DN , SI7110DN , SI7112DN , SI7113DN , SI7114ADN , SI7114DN , SI7115DN .
History: WMO9N50D1B | STB21NM60ND | STI40N65M2 | CS2N80A3HY | WMJ90R260S | IPI120N08S4-04 | WML12N80M3
History: WMO9N50D1B | STB21NM60ND | STI40N65M2 | CS2N80A3HY | WMJ90R260S | IPI120N08S4-04 | WML12N80M3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet | bc548 pinout | bdw94c