SI7107DN Todos los transistores

 

SI7107DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7107DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7107DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:550K  vishay
si7107dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

Si7107DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life- 11.2 New PowerPAK P

 9.1. Size:547K  vishay
si7100dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

Si7100DNVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package8 40 nC0.0045 at VGS = 2.5 V 35with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK 12

 9.2. Size:563K  vishay
si7101dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

New ProductSi7101DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0072 at VGS = - 10 V - 35d- 30 32 nC For definitions of compliance please see0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPL

 9.3. Size:530K  vishay
si7108dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

Si7108DNVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET for RoHS0.0049 at VGS = 10 V 22COMPLIANT20 20 Ultra Low On-Resistance 0.0061 at VGS = 4.5 V 19.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package withLow 1.07 mm Profil

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BF1203 | AOB15S60 | AD5N60S | WMN07N100C2

 

 
Back to Top

 


 
.