SI7107DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7107DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7107DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7107DN даташит

 ..1. Size:550K  vishay
 si7107dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

Si7107DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life - 11.2 New PowerPAK P

 9.1. Size:547K  vishay
 si7100dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

Si7100DN Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 4.5 V 35 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package 8 40 nC 0.0045 at VGS = 2.5 V 35 with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 12

 9.2. Size:563K  vishay
 si7101dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

New Product Si7101DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0072 at VGS = - 10 V - 35d - 30 32 nC For definitions of compliance please see 0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPL

 9.3. Size:530K  vishay
 si7108dn.pdf pdf_icon

SI7107DN

Si7108DN Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET for RoHS 0.0049 at VGS = 10 V 22 COMPLIANT 20 20 Ultra Low On-Resistance 0.0061 at VGS = 4.5 V 19.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profil

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI6968BEDQ, SI6981DQ, SI6993DQ, SI7100DN, SI7101DN, SI7102DN, SI7104DN, SI7106DN, IRF2807, SI7108DN, SI7110DN, SI7112DN, SI7113DN, SI7114ADN, SI7114DN, SI7115DN, SI7116DN