SI7135DP Todos los transistores

 

SI7135DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7135DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 167 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7135DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  vishay
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SI7135DP

New ProductSi7135DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0039 at VGS = - 10 V - 60COMPLIANT - 30 78 nC 100 % Rg Tested0.0062 at VGS = - 4.5 V - 60APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Notebook- Load SwitchSS6.15 mm 5.15 mm1S2

 9.1. Size:339K  vishay
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SI7135DP

New ProductSi7137DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition 0.00195 at VGS = - 10 V- 60d TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET- 20 0.0025 at VGS = - 4.5 V- 60d 183 nC 100 % Rg Tested0.0039 at VGS = - 2.5 V - 60d 100 % UIS Tested

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SI7135DP

Si7138DPVishay SiliconixN-Channel 60 V (D-S) Reduced Qgd, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0078 at VGS = 10 V 30 Low Thermal Resistance PowerPAK Package60 550.009 at VGS = 6 V 30 100 % Rg and Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/

 9.3. Size:482K  vishay
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SI7135DP

Si7136DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0032 at VGS = 10 V 30 Ultra-Low On-Resistance Using High20 24.5Density TrenchFET Gen II Power0.0045 at VGS = 4.5 V 30MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized 100 % Rg Tested

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History: IPI80N04S3-H4 | NCEP045N10

 

 
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