SI7160DP Todos los transistores

 

SI7160DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7160DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7160DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  vishay
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SI7160DP

Si7160DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High30 210.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power20MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized

 9.1. Size:479K  vishay
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SI7160DP

New ProductSi7164DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.00625 at VGS = 10 V60 49.5 nC60 100 % Rg TestedCOMPLIANT 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I

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History: STV160NF02LAT4 | 2N6763 | 2SK802

 

 
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