SI7160DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7160DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 475 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0087 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI7160DP MOSFET
SI7160DP Datasheet (PDF)
si7160dp.pdf
Si7160DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High30 210.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power20MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized
si7164dp.pdf
New ProductSi7164DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.00625 at VGS = 10 V60 49.5 nC60 100 % Rg TestedCOMPLIANT 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I
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History: IXTH2N150 | HGA130N12SL
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