Справочник MOSFET. SI7160DP

 

SI7160DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7160DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 475 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7160DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7160DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  vishay
 si7160dp.pdf pdf_icon

SI7160DP

Si7160DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High30 210.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power20MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized

 9.1. Size:479K  vishay
 si7164dp.pdf pdf_icon

SI7160DP

New ProductSi7164DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.00625 at VGS = 10 V60 49.5 nC60 100 % Rg TestedCOMPLIANT 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I

Другие MOSFET... SI7143DP , SI7145DP , SI7148DP , SI7149ADP , SI7149DP , SI7156DP , SI7157DP , SI7159DP , IRFZ44N , SI7164DP , SI7170DP , SI7172DP , SI7174DP , SI7178DP , SI7186DP , SI7190DP , SI7192DP .

History: TJ15S10M3 | STI24NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.