SI7164DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7164DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 425 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00625 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI7164DP MOSFET
Principales características: SI7164DP
si7164dp.pdf
New Product Si7164DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00625 at VGS = 10 V 60 49.5 nC 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I
si7160dp.pdf
Si7160DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High 30 21 0.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power 20 MOSFET Technology PowerPAK SO-8 Qg Optimized
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Liste
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