Справочник MOSFET. SI7164DP

 

SI7164DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7164DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00625 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7164DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
 si7164dp.pdf pdf_icon

SI7164DP

New ProductSi7164DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.00625 at VGS = 10 V60 49.5 nC60 100 % Rg TestedCOMPLIANT 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I

 9.1. Size:480K  vishay
 si7160dp.pdf pdf_icon

SI7164DP

Si7160DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High30 210.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power20MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BLS70R420-U | IXTH20N65X | FCH023N65S3 | AP70SL1K4BK2 | IXFP26N50P3 | VB1240X | STP19NB20

 

 
Back to Top

 


 
.