SI7164DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7164DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00625 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7164DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7164DP даташит

 ..1. Size:479K  vishay
 si7164dp.pdf pdf_icon

SI7164DP

New Product Si7164DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.00625 at VGS = 10 V 60 49.5 nC 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I

 9.1. Size:480K  vishay
 si7160dp.pdf pdf_icon

SI7164DP

Si7160DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High 30 21 0.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power 20 MOSFET Technology PowerPAK SO-8 Qg Optimized

Другие IGBT... SI7145DP, SI7148DP, SI7149ADP, SI7149DP, SI7156DP, SI7157DP, SI7159DP, SI7160DP, IRFZ44N, SI7170DP, SI7172DP, SI7174DP, SI7178DP, SI7186DP, SI7190DP, SI7192DP, SI7194DP