Справочник MOSFET. SI7164DP

 

SI7164DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7164DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 425 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00625 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7164DP

 

 

SI7164DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
 si7164dp.pdf

SI7164DP SI7164DP

New ProductSi7164DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.00625 at VGS = 10 V60 49.5 nC60 100 % Rg TestedCOMPLIANT 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm D 1 S I

 9.1. Size:480K  vishay
 si7160dp.pdf

SI7164DP SI7164DP

Si7160DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0087 at VGS = 10 V 20 Ultra-Low On-Resistance Using High30 210.010 at VGS = 4.5 V Density TrenchFET Gen II Power20MOSFET TechnologyPowerPAK SO-8 Qg Optimized

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOT240L

 

 
Back to Top