SI7172DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7172DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7172DP datasheet

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SI7172DP

New Product Si7172DP Vishay Siliconix N-Channel 200-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.070 at VGS = 10 V 25 Low Thermal Resistance PowerPAK Package RoHS 200 34 0.076 at VGS = 6 V 24 COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Pri

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SI7172DP

New Product Si7174DP Vishay Siliconix N-Channel 75-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.007 at VGS = 10 V 75 47.5 nC 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch Synchronous Rectification S 6.15 mm 5.15

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SI7172DP

 9.3. Size:479K  vishay
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SI7172DP

New Product Si7178DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.014 at VGS = 10 V 100 47.5 nC 60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm Intermediate

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