Справочник MOSFET. SI7172DP

 

SI7172DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7172DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7172DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  vishay
si7172dp.pdfpdf_icon

SI7172DP

New ProductSi7172DPVishay SiliconixN-Channel 200-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.070 at VGS = 10 V 25 Low Thermal Resistance PowerPAK PackageRoHS200 340.076 at VGS = 6 V 24COMPLIANT 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Pri

 9.1. Size:511K  vishay
si7174dp.pdfpdf_icon

SI7172DP

New ProductSi7174DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V75 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch Synchronous RectificationS 6.15 mm 5.15

 9.2. Size:491K  vishay
si7170dp.pdfpdf_icon

SI7172DP

Si7170DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0034 at VGS = 10 V 40g30 29 nC 100 % Rg and Avalanche Tested0.0043 at VGS = 4.5 V 40g Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS

 9.3. Size:479K  vishay
si7178dp.pdfpdf_icon

SI7172DP

New ProductSi7178DPVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.014 at VGS = 10 V100 47.5 nC60 100 % Rg Tested COMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch POL S 6.15 mm 5.15 mm Intermediate

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.