SI7186DP Todos los transistores

 

SI7186DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7186DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7186DP Datasheet (PDF)

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SI7186DP

Si7186DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = 10 V 80 TrenchFET Power MOSFET32g 46 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15 mm 5.15 mm 1 POL S D

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History: AM20N10-350D | DMP2104LP | HGI080N08SL

 

 
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