SI7186DP Todos los transistores

 

SI7186DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7186DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 80 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 325 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0125 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI7186DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI7186DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
 si7186dp.pdf pdf_icon

SI7186DP

Si7186DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = 10 V 80 TrenchFET Power MOSFET32g 46 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15 mm 5.15 mm 1 POL S D

Otros transistores... SI7157DP , SI7159DP , SI7160DP , SI7164DP , SI7170DP , SI7172DP , SI7174DP , SI7178DP , IRF540N , SI7190DP , SI7192DP , SI7194DP , SI7196DP , SI7212DN , SI7216DN , SI7220DN , SI7222DN .

History: RF4E110GN | MTDA4N20J3

 

 
Back to Top

 


 
.