SI7186DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7186DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7186DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7186DP даташит

 ..1. Size:479K  vishay
 si7186dp.pdf pdf_icon

SI7186DP

Si7186DP Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0125 at VGS = 10 V 80 TrenchFET Power MOSFET 32g 46 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15 mm 5.15 mm 1 POL S D

Другие IGBT... SI7157DP, SI7159DP, SI7160DP, SI7164DP, SI7170DP, SI7172DP, SI7174DP, SI7178DP, IRF540, SI7190DP, SI7192DP, SI7194DP, SI7196DP, SI7212DN, SI7216DN, SI7220DN, SI7222DN