Справочник MOSFET. SI7186DP

 

SI7186DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7186DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7186DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7186DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
 si7186dp.pdf pdf_icon

SI7186DP

Si7186DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = 10 V 80 TrenchFET Power MOSFET32g 46 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15 mm 5.15 mm 1 POL S D

Другие MOSFET... SI7157DP , SI7159DP , SI7160DP , SI7164DP , SI7170DP , SI7172DP , SI7174DP , SI7178DP , IRF540N , SI7190DP , SI7192DP , SI7194DP , SI7196DP , SI7212DN , SI7216DN , SI7220DN , SI7222DN .

History: IRF7307QPBF | VN1204N1 | SI6968BEDQ

 

 
Back to Top

 


 
.