Справочник MOSFET. SI7186DP

 

SI7186DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7186DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7186DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:479K  vishay
 si7186dp.pdf pdf_icon

SI7186DP

Si7186DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = 10 V 80 TrenchFET Power MOSFET32g 46 nC 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 APPLICATIONS Primary Side Switch S 6.15 mm 5.15 mm 1 POL S D

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: QS8K13 | TTP118N08A | MTE130N20FP | NTB5404N | TK3A60DA | HGD750N15M

 

 
Back to Top

 


 
.