SI7212DN Todos los transistores

 

SI7212DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7212DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7212DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  vishay
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SI7212DN

Si7212DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested30 70.039 at VGS = 4.5 V 6.6 Space Savings Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Re

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SI7212DN

Si7218DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Available0.025 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET30 5 nC0.033 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Synchronous RectificationPowerPAK 1212-8 Notebook System Power POLS1 3.30 mm

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SI7212DN

Si7216DNVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 10 V 6e40 5.5 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.039 at VGS = 4.5 V 5ePackage with Small Size and Low 1.07 mmProfile 100 % Rg and UIS t

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SI7212DN

Si7214DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.04 at VGS = 10 V 6.430 TrenchFET Power MOSFET0.047 at VGS = 4.5 V 5.9 100 % Rg Tested Optimized for High Efficiency ApplicationsAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous Rectificatio

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History: NCEP045N10G

 

 
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