SI7212DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7212DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7212DN Datasheet (PDF)
si7212dn.pdf

Si7212DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 6.8 100 % Rg Tested30 70.039 at VGS = 4.5 V 6.6 Space Savings Optimized for Fast Switching Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Synchronous Re
si7218dn.pdf

Si7218DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Available0.025 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET30 5 nC0.033 at VGS = 4.5 V 21APPLICATIONS Synchronous RectificationPowerPAK 1212-8 Notebook System Power POLS1 3.30 mm
si7216dn.pdf

Si7216DNVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available TrenchFET Power MOSFET0.032 at VGS = 10 V 6e40 5.5 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.039 at VGS = 4.5 V 5ePackage with Small Size and Low 1.07 mmProfile 100 % Rg and UIS t
si7214dn.pdf

Si7214DNVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.04 at VGS = 10 V 6.430 TrenchFET Power MOSFET0.047 at VGS = 4.5 V 5.9 100 % Rg Tested Optimized for High Efficiency ApplicationsAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Synchronous Rectificatio
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: RJK0355DSP | HM2P10PR
History: RJK0355DSP | HM2P10PR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239