SI7252DP Todos los transistores

 

SI7252DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7252DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7252DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  vishay
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SI7252DP

New ProductSi7252DPVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. 100 % Rg and UIS TestedID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.017 at VGS = 10 V 36.7For definitions of compliance please see 0.018 at VGS = 7.5 V 100 35.7 12.2 nCwww.vishay.com/doc?999120.020 at VGS = 6 V

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History: CS1N65A3 | SMP40N10 | AP55T06GS-HF | DMC2041UFDB | 2SK3224 | IXFN64N60P | IRF624A

 

 
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