SI7252DP Todos los transistores

 

SI7252DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7252DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 311 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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Principales características: SI7252DP

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SI7252DP

New Product Si7252DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. 100 % Rg and UIS Tested ID (A)a Qg (Typ.) Material categorization 0.017 at VGS = 10 V 36.7 For definitions of compliance please see 0.018 at VGS = 7.5 V 100 35.7 12.2 nC www.vishay.com/doc?99912 0.020 at VGS = 6 V

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History: NTR5103N

 

 
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