Справочник MOSFET. SI7252DP

 

SI7252DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7252DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7252DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7252DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  vishay
 si7252dp.pdf pdf_icon

SI7252DP

New ProductSi7252DPVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. 100 % Rg and UIS TestedID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.017 at VGS = 10 V 36.7For definitions of compliance please see 0.018 at VGS = 7.5 V 100 35.7 12.2 nCwww.vishay.com/doc?999120.020 at VGS = 6 V

Другие MOSFET... SI7220DN , SI7222DN , SI7224DN , SI7228DN , SI7230DN , SI7232DN , SI7234DP , SI7236DP , IRFP250N , SI7270DP , SI7272DP , SI7288DP , SI7302DN , SI7308DN , SI7309DN , SI7315DN , SI7317DN .

History: AP9685GM-HF | 2SK3161L | STP10NM60N | SI7216DN | 8N80G-TF2-T | PMV20XN | BRA10N65

 

 
Back to Top

 


 
.