Справочник MOSFET. SI7252DP

 

SI7252DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7252DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7252DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  vishay
 si7252dp.pdf pdf_icon

SI7252DP

New ProductSi7252DPVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. 100 % Rg and UIS TestedID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.017 at VGS = 10 V 36.7For definitions of compliance please see 0.018 at VGS = 7.5 V 100 35.7 12.2 nCwww.vishay.com/doc?999120.020 at VGS = 6 V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLML5203PBF | 1N60G | HYG400P10LR1D | TMP3N50AZ | IRF3707SPBF | PS04P30SA | WFP840B

 

 
Back to Top

 


 
.