SI7252DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7252DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7252DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7252DP даташит

 ..1. Size:512K  vishay
 si7252dp.pdf pdf_icon

SI7252DP

New Product Si7252DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. 100 % Rg and UIS Tested ID (A)a Qg (Typ.) Material categorization 0.017 at VGS = 10 V 36.7 For definitions of compliance please see 0.018 at VGS = 7.5 V 100 35.7 12.2 nC www.vishay.com/doc?99912 0.020 at VGS = 6 V

Другие IGBT... SI7220DN, SI7222DN, SI7224DN, SI7228DN, SI7230DN, SI7232DN, SI7234DP, SI7236DP, IRFB4115, SI7270DP, SI7272DP, SI7288DP, SI7302DN, SI7308DN, SI7309DN, SI7315DN, SI7317DN