Справочник MOSFET. SI7252DP

 

SI7252DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7252DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 311 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7252DP

 

 

SI7252DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  vishay
 si7252dp.pdf

SI7252DP SI7252DP

New ProductSi7252DPVishay SiliconixDual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. 100 % Rg and UIS TestedID (A)a Qg (Typ.) Material categorization:0.017 at VGS = 10 V 36.7For definitions of compliance please see 0.018 at VGS = 7.5 V 100 35.7 12.2 nCwww.vishay.com/doc?999120.020 at VGS = 6 V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2N6767

 

 
Back to Top