SI7317DN Todos los transistores

 

SI7317DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7317DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7317DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  vishay
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SI7317DN

Si7317DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V)RDS(on) () Max. ID (A)f Qg (Typ.) PowerPAK Package- Low Thermal Resistance1.2 at VGS = - 10 V - 2.8- 150 6.5 nC 100 % Rg and UIS Tested1.3 at VGS = - 6 V - 2.7 Material categorization:AvailableFor definitions of compliance please seeww

 9.1. Size:558K  vishay
 si7315dn.pdf pdf_icon

SI7317DN

Si7315DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Low Thermal Resistance PowerPAKID (A)e Qg (Typ.)Package with Small Size0.315 at VGS = - 10 V - 8.9 100 % Rg and UIS Tested- 150 15.4 nC0.350 at VGS = - 6 V - 8.7 Material categorization:AvailableFor definitions of complia

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