SI7317DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7317DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7317DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7317DN даташит

 ..1. Size:563K  vishay
 si7317dn.pdf pdf_icon

SI7317DN

Si7317DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)f Qg (Typ.) PowerPAK Package - Low Thermal Resistance 1.2 at VGS = - 10 V - 2.8 - 150 6.5 nC 100 % Rg and UIS Tested 1.3 at VGS = - 6 V - 2.7 Material categorization Available For definitions of compliance please see ww

 9.1. Size:558K  vishay
 si7315dn.pdf pdf_icon

SI7317DN

Si7315DN Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. Low Thermal Resistance PowerPAK ID (A)e Qg (Typ.) Package with Small Size 0.315 at VGS = - 10 V - 8.9 100 % Rg and UIS Tested - 150 15.4 nC 0.350 at VGS = - 6 V - 8.7 Material categorization Available For definitions of complia

Другие IGBT... SI7252DP, SI7270DP, SI7272DP, SI7288DP, SI7302DN, SI7308DN, SI7309DN, SI7315DN, 2N7000, SI7322DN, SI7326DN, SI7328DN, SI7336ADP, SI7342DP, SI7344DP, SI7356ADP, SI7358ADP