SI7317DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7317DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7317DN Datasheet (PDF)
si7317dn.pdf

Si7317DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V)RDS(on) () Max. ID (A)f Qg (Typ.) PowerPAK Package- Low Thermal Resistance1.2 at VGS = - 10 V - 2.8- 150 6.5 nC 100 % Rg and UIS Tested1.3 at VGS = - 6 V - 2.7 Material categorization:AvailableFor definitions of compliance please seeww
si7315dn.pdf

Si7315DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Low Thermal Resistance PowerPAKID (A)e Qg (Typ.)Package with Small Size0.315 at VGS = - 10 V - 8.9 100 % Rg and UIS Tested- 150 15.4 nC0.350 at VGS = - 6 V - 8.7 Material categorization:AvailableFor definitions of complia
Другие MOSFET... SI7252DP , SI7270DP , SI7272DP , SI7288DP , SI7302DN , SI7308DN , SI7309DN , SI7315DN , 2N7000 , SI7322DN , SI7326DN , SI7328DN , SI7336ADP , SI7342DP , SI7344DP , SI7356ADP , SI7358ADP .
History: AP9962GJ | MSAFZ50N10A | CPH3448
History: AP9962GJ | MSAFZ50N10A | CPH3448



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK080P03A | JMTK068N07A | JMTK060P03A | JMTK060N06A | JMTK050P03A | JMTK035N04L | JMTK018N03A | JMTI60N04A | JMTI50N06B | JMTI320N10A | JMTI3005A | JMTI290N06A | JMTI210P02A | JMTI10N10A | JMTI080P03A | JMTI080N02A
Popular searches
2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor | 2sb560