Справочник MOSFET. SI7317DN

 

SI7317DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7317DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7317DN

 

 

SI7317DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  vishay
 si7317dn.pdf

SI7317DN SI7317DN

Si7317DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V)RDS(on) () Max. ID (A)f Qg (Typ.) PowerPAK Package- Low Thermal Resistance1.2 at VGS = - 10 V - 2.8- 150 6.5 nC 100 % Rg and UIS Tested1.3 at VGS = - 6 V - 2.7 Material categorization:AvailableFor definitions of compliance please seeww

 9.1. Size:558K  vishay
 si7315dn.pdf

SI7317DN SI7317DN

Si7315DNVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. Low Thermal Resistance PowerPAKID (A)e Qg (Typ.)Package with Small Size0.315 at VGS = - 10 V - 8.9 100 % Rg and UIS Tested- 150 15.4 nC0.350 at VGS = - 6 V - 8.7 Material categorization:AvailableFor definitions of complia

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AOT360A70L

 

 
Back to Top